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电子元器件详细资料 » IC[27664] » SI2302ADS-T1-GE3
型号:SI2302ADS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V SOT23-3
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 50µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs10nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds300pF @ 10V
功率_最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

SI2302ADS-T1-GE3相关型号

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